单片机存储技术FlashE²PROM MaskROM EPROM的区别

FlashE²PROM MaskROM EPROM的区别

FlashE²PROM

• 擦除方式：电擦除，通过电信号擦除数据
• 编程方式：电编程，可在电路中进行
• 擦除粒度： 通常按块（sector）擦除
• 擦写次数： 10,000-100,000次
• 特点：
  • 非易失性（断电不丢失数据）
  • 可在线编程
  • 无需从电路中取出即可更新程序
  • 擦写速度快
• 应用： 现代单片机如STC89C52RC等，适合需要频繁更新程序的应用场景

MaskROM

• 擦除方式：不可擦除
• 编程方式：再制造过程中通过掩模（mask）一次性编程
• 擦写次数： 0次，不可重写
• 特点：
  • 非易失性（断电不丢失数据）
  • 一旦制造完成不可更改
  • 成本低
  • 可靠性高
• 应用：80C51等早期单片机适合大批量生产且程序固定不变的场景

EPROM

• 擦除方式：紫外线擦除（需要特殊的紫外线擦除器）
• 编程方式：需要专用编程器
• 擦写次数： 约1000次
• 特点：
  • 非易失性（断电不丢失数据）
  • 需要从电路中取出才能擦除
  • 芯片上有石英窗口用于紫外线照射
  • 擦除过程需要20-30分钟
• 应用：87C51等单片机，适合开发阶段和小批量生产

技术演进关系

MaskROM → EPROM → FlashE²PROM 代表了单片机存储技术的演进过程，每一代技术都提高了灵活性和便利性，使得程序更新越来越方便。在现代单片机中，FlashE²PROM已经成为主流选择。